澤攸電鏡ZEM20Pro：應(yīng)對(duì)前沿研究成像能力 在納米材料研究、制造檢測(cè)和生命科學(xué)等領(lǐng)域，對(duì)樣品進(jìn)行高分辨率的掃描電子顯微鏡觀察需求日益增長。澤攸科技的ZEM20Pro臺(tái)式掃描電子顯微鏡，將高分辨成像能力融入緊湊的桌面設(shè)計(jì)中，為用戶提供了一個(gè)無需依賴大型傳統(tǒng)電鏡的微觀成像解決方案。

ZEM20Pro的核心優(yōu)勢(shì)在于其電子光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。采用熱場(chǎng)發(fā)射電子槍，這種電子源具有亮度較高和能量分散較低的特點(diǎn)，為獲得高信噪比和高分辨率的圖像奠定了基礎(chǔ)。鏡筒內(nèi)電磁透鏡系統(tǒng)經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計(jì)，有助于減小像差，實(shí)現(xiàn)電子束的精細(xì)聚焦。整套光路系統(tǒng)置于高真空環(huán)境中，由金屬材料制成的鏡體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，減少了外界干擾。

隨著材料體系的日益復(fù)雜和器件尺寸的不斷縮小，科研與工業(yè)界對(duì)顯微成像技術(shù)提出了更高要求。澤攸ZEM20Pro臺(tái)式掃描電鏡憑借其熱場(chǎng)發(fā)射電子槍和優(yōu)化的光學(xué)系統(tǒng)，提供了優(yōu)于普通臺(tái)式電鏡的成像性能，能夠應(yīng)對(duì)更多研究和精密檢測(cè)場(chǎng)景。

ZEM20Pro的性能表現(xiàn)源于多項(xiàng)技術(shù)的綜合。熱場(chǎng)發(fā)射電子槍提供了較小尺寸和高亮度的電子源，這是實(shí)現(xiàn)高分辨率成像的關(guān)鍵。電磁透鏡系統(tǒng)具有較低的像散，有助于在整個(gè)視野范圍內(nèi)獲得清晰、無畸變的圖像。樣品室內(nèi)部設(shè)計(jì)考慮了信號(hào)收集效率，背散射電子探測(cè)器可用于獲取成分襯度信息，對(duì)分析多相材料有所幫助。整機(jī)的機(jī)械穩(wěn)定性和真空系統(tǒng)設(shè)計(jì)為長時(shí)間工作的穩(wěn)定性提供了支持。

其性能參數(shù)為其在應(yīng)用提供了可能：

• •低電壓成像：支持低至200V的加速電壓，有助于觀察對(duì)電子束敏感的樣品（如某些半導(dǎo)體、聚合物），減少充電效應(yīng)。

• •高真空模式：保障了高分辨率成像所需的環(huán)境。

• •大范圍導(dǎo)航：馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的樣品臺(tái)允許在較大范圍內(nèi)移動(dòng)和定位，方便尋找特定觀察區(qū)域。

• •擴(kuò)展性：預(yù)留能譜（EDS）等分析探頭接口，支持成分分析功能擴(kuò)展。

ZEM20Pro的應(yīng)用場(chǎng)景深入且專業(yè)：

• •鋰電池研究：觀察電極材料（如正負(fù)極粉末）的微觀結(jié)構(gòu)、循環(huán)后的形貌變化以及鋰枝晶的生長。

• •集成電路分析：進(jìn)行芯片剖面的電路結(jié)構(gòu)觀察、缺陷定位和失效分析。

• •前沿材料表征：用于鈣鈦礦太陽能電池、MOF材料、碳納米復(fù)合材料等的微觀結(jié)構(gòu)解析。

• •精密制造質(zhì)檢：對(duì)MEMS器件、精密光學(xué)元件、超硬涂層等進(jìn)行微納尺度形貌檢測(cè)。

在使用說明中，其高級(jí)功能值得關(guān)注。用戶可根據(jù)樣品特性，靈活選擇加速電壓和探針電流，在分辨率、襯度和樣品損傷之間取得平衡。對(duì)于不導(dǎo)電樣品，除了常規(guī)噴金處理，利用低電壓模式進(jìn)行觀察也是一種可行選擇。軟件中的圖像處理和分析工具能滿足基本的科研級(jí)圖像輸出要求。

對(duì)于高校、科研院所的實(shí)驗(yàn)室以及制造業(yè)的質(zhì)檢部門，ZEM20Pro提供了一種無需投入大型設(shè)備即可獲得高分辨成像能力的解決方案。