LinKam冷熱臺參數(shù)：適配不同高溫真空需求

產(chǎn)品簡介

LinKam冷熱臺參數(shù)：適配不同高溫真空需求
TS1500V 的各項參數(shù)設(shè)計充分考慮不同實驗場景與樣品特性的需求，理解參數(shù)含義有助于用戶選擇合適的實驗方案。

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更新時間：2025-10-23

廠商性質(zhì)：代理商

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產(chǎn)品分類

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冷熱臺

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LinKam冷熱臺參數(shù)：適配不同高溫真空需求

TS1500V 的各項參數(shù)設(shè)計充分考慮不同實驗場景與樣品特性的需求，理解參數(shù)含義有助于用戶選擇合適的實驗方案。溫度參數(shù)是核心指標之一，設(shè)備支持室溫至 1500℃的溫度范圍調(diào)節(jié)，1500℃的高溫適用于陶瓷材料燒結(jié)、金屬粉末冶金等需要高溫處理的實驗，如氧化鋁陶瓷樣品在 1450℃下保溫 2 小時，可完成燒結(jié)過程；而對于高分子材料熱穩(wěn)定性測試，通常設(shè)置 200-500℃的溫度范圍，避免溫度過高導致樣品碳化。

升溫速率參數(shù)可在 0.1-100℃/min 范圍內(nèi)調(diào)節(jié)，不同樣品需匹配不同速率：金屬材料退火實驗適合 5-10℃/min 的中速升溫，確保材料內(nèi)部溫度均勻，減少應(yīng)力產(chǎn)生；而快速熱循環(huán)實驗可選擇 50-100℃/min 的高速升溫，縮短實驗時間。降溫速率通過自然冷卻或輔助冷卻系統(tǒng)控制，自然冷卻時從 1500℃降至室溫約需 2 小時，搭配冷卻風扇可將降溫時間縮短至 1 小時，滿足需要快速重復實驗的場景。

真空度參數(shù)從大氣壓至 10??mbar 可調(diào)，高真空（10??-10??mbar）適用于金屬材料真空熔煉、半導體薄膜沉積實驗，可減少氣體對樣品的氧化影響；低真空（10?2-10?3mbar）則適合陶瓷材料脫氣實驗，平衡脫氣效率與設(shè)備抽真空時間。以下為 TS1500V 核心參數(shù)表：

參數(shù)類別	具體參數(shù)
溫度范圍	室溫 - 1500℃
升溫速率	0.1 - 100℃/min
真空度范圍	大氣壓 - 10??mbar
樣品槽尺寸	直徑 10mm × 深度 2mm
溫度測量誤差	±1℃
加熱元件材質(zhì)	鉬絲
真空腔體材質(zhì)	不銹鋼